第三百八十四章 MOCVD_我的老师是学霸

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第三百八十四章 MOCVD

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外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。

        该设备以3族、2族元素的有机化合物和v、6族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种3-v主族、2-6副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

        上面说的有些复杂。

        简单来理解的话,就是通过这台ovd设备,可以将有机化合物和氢化物,合称为实验室所需的gan宽禁带半导体。

        这是一台生长宽禁带半导体的仪器。

        顾律在国外见过这种设备。

        不过国内和国外的ovd系统是有些区别的。

        因为ovd系统最关键的问题就是保证材料生长的均匀性和重复性,所以国内和国外ovd系统的主要区别在于反应室结构。

        在国外,反应室结构大多采用‘turbods反应’,而国内则是采用‘行星反应’。

        两者各有其优劣,说不上谁更好。

        但呈现在顾律面前的这台ovd,虽然使用的仍旧是国内的行星反应室结构,但在设备的其他组成系统上,应该进行了深层次的优化。

        顾律只是简单的上下打量了这台设备一眼,就得出一个这样的结论。

        “张主任,你们的这台设备应该进行了一定程度的改装吧,根据我的推测,这台ovd不止最多可以同时生长两片15英寸的gan宽禁带半导体?”顾律说出自己的猜测。

        张主任竖起大拇指。

        “你说的没错。”张主任拍拍设备,语气略带得意的开口,“这台设备买回来后,我就让隔壁机械学院的几位朋友改装了一下。”

        “你看着,在这块源供给系统部分,我们加了一个恒温器,可以保证金属化合物一个衡定的蒸气压。”张主任指着仪器前端的加装上去的一个恒温器为顾律介绍。

        “还有这。”张主任把顾律领到ovd的背面,“这块是气体运输系统,原本这里是只有一条管道的。”

        “但是我们又增加了一条,这样的话,可以迅速变化反应室内的反应气体,并且还不会引起反应室内压力的变化!”

        张主任为顾律详细的介绍了这台设备的改装

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